穿越周期 宏微科技第三代半导体构筑新增长级

此外，该公司创新构建的"预研—中试—量产"三级技术孵化机制，依托控股设立的上海宏微爱赛研发中 心，整合长三角科研资源，聚焦第三代半导体材料与高压大电流产品开发，将有效支撑公司产品矩阵的 持续迭代。目前，公司累计获得发明专利133项，其中发明专利43项，实用新型专利83项，外观设计专 利7项，为后续产品矩阵扩张奠定基础。 在全球功率半导体行业深度调整的2024年，宏微科技(688711)受新能源汽车产业链价格传导、行业库存 调整等复杂因素影响，短期业绩承压，但公司通过持续的技术突破与市场开拓，已为新一轮增长周期积 蓄势能。 在行业下行周期中，宏微科技以高强度研发投入构筑技术护城河。2024年公司研发费用1.1亿元，占营 业收入比重达8.24%。公司在碳化硅领域实现关键突破：1200V40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已 通过可靠性验证；自主研发的SiC SBD芯片通过多家终端客户系统级验证并实现小批量出货；车规级 1200V SiC自研模块对应的银烧结工艺已通过可靠性验证；光伏用SiC混合封装模块斩获全球头部逆变器 厂商订单。 当前市场布局呈现"内外并进"态势，国内市场深化与新能源车企、逆变器厂商 ...