英诺赛科称年底将扩产8英寸GaN至2万片/月

英诺赛科将提升8英寸氮化镓产能，预计年底从1.3万片/月扩至2万片/月。 8日，第一财经从国内氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛科（02577.HK）处确认，公司将进一步提升8英 寸（200nm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7 万片/月。 英诺赛科是实现大规模量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM），产品覆盖晶圆制造、分立器 件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和氮化镓功率模块。目前氮化镓（GaN）在充电器或者其他消费电子 产品里的占比越来越高。凭借高效能和小体积，也在电池的双向电能转换、光伏的光储互补、数据中心 功率密度提升领域发挥重要作用，有望成为替代硅的重要材料。 英诺赛科透露扩产的时间点恰逢台积电退出氮化镓代工业务，英飞凌不久前也刚高调宣布在300mm晶 圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。现有的知名功率半导体 企业不愿错过这样快速增长的市场是对氮化镓未来发展的认可，但在工程可实现方面，显然存在分歧。 根据Yole Group的预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25 ...