网传中芯国际5nm工艺良率超60%，各路消息扑朔迷离

众所周知，我国 芯片 业面临美国强力制裁，无法取得生产先进制程所需的 EUV 设备，只能通过不断改良的 DUV 设备提升制程能力。近日，网络上传出大 量信息：国产5nm迎来历史性突破，不仅实现量产，而且良率从早期的35%大幅提升至60%-70%，接近台积电初期的SF3良率水平。 根据微博爆料者"定焦数码"表示， 中芯国际 5纳米制程的良率已提升至60%-70%，他还进一步指出，中芯国际5纳米良率与三星 电子 3纳米GAA制程相当。 后者已被用于生产Galaxy Z Flip 7搭载的Exynos 2500芯片。但X账号Jukanlosreve也表达了对此传言的强烈质疑，据其之前透露，中芯国际计划在2025年前完 成5纳米芯片开发，但由于采用深紫外光（DUV）微影设备而非极紫外光（EUV）设备，预计成本将增加50%。如果Jukanlosreve所言非虚，那么他的质疑也 并不是没有道理。 据传，这一突破背后，是工程师们在没有 EUV 光刻机的情况下，他们选择了 DUV 设备，这是一种相对成熟且成本较低的光刻技术。但 DUV 设备的分辨率 有限，难以直接满足先进制程的要求。为了解决这一问题，工程师们采用了四重图案化 ...