晶盛机电(300316)：首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线 SIC衬底应用打开公司成长空间

同时，SiC 材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入，有效提升产能和良率。 晶盛积极扩产6&8 英寸衬底产能，已具备12 英寸能力。晶盛目前已经攻克12 英寸碳化硅晶体生长中的 温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12 英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12 英寸导电 型碳化硅晶体。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027 年归母净利润预测为10/12/15 亿元，对应当前PE 为 58/47/38 倍，维持"买入"评级。 投资要点 半导体收入占比不断提升，订单快速增长。12 英寸碳化硅衬底加工中试线通线，可兼容导电&半绝缘 型。9 月26 日，首条12 英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC 正式通线，至 此，浙江晶瑞SuperSiC 真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化， 标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。 SiC 凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS 结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU 芯片 从H100 到B200 均采用CoWoS 封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS ...