三星电子重组HBM团队 并入DRAM开发室

（文/罗叶馨梅）11月27日，三星电子对去年新设立的高带宽存储器（HBM）开发团队进行了组织调整。公司决定撤销负责半导体业务的DS部门下属HBM 开发团队，将相关人员整体划归DRAM开发室。市场普遍关注此次架构调整对三星HBM业务推进节奏及内部协同机制的影响。 在业务层面，三星电子近年持续加大HBM领域投入，并与英伟达、超威半导体（AMD）、OpenAI、博通等科技巨头建立合作关系。公司以HBM3和HBM3E 量产应用经验为基础，专注提升堆叠封装、带宽、能效及可靠性等核心竞争力。韩媒分析认为，将HBM开发力量纳入DRAM开发体系之下，有望在制程演 进、设计验证与量产导入方面形成更紧密的协同。 （校对/秋贤） 从市场表现看，三星电子今年第二季度在全球HBM市场的排名一度跌至第三位，短期内承受竞争压力。公司预计，随着HBM4供应规模的逐步扩大，明年 起其HBM市场份额有望实现回升。市场调研机构TrendForce预测，到2026年，三星电子在全球HBM市场的占有率有望超过30%，这一预期也被视为公司强 化先进存储业务布局的重要参考。 业内人士指出，HBM作为面向人工智能训练、推理和高性能计算等场景的关键存储器，已 ...