安森美与英诺赛科共建氮化镓产业生态 拟2026年上半年提供样品

GaN半导体器件凭借更高的开关速度、更小的尺寸和更低的能耗，能够在更小的空间内提供更大的功 率。由于产品供应和产能不足，GaN在低压和中压领域的应用受限。据统计，预计到2030年，GaN将在 全球功率半导体市场占据约29亿美元(11%)的份额，2024—2030年期间复合年增长率预计达42%。 通过此次合作，安森美和英诺赛科加速推进实现更优化的GaN解决方案在全球主流市场的大规模部署。 具体来看，本次合作覆盖多领域的相关产品，其中工业领域包含机器人电机驱动器、太阳能微型逆变器 及优化器；汽车领域涵盖DC-DC转换器、同步整流；电信基础设施领域涉及DC-DC转换器与负载点转 换器；消费及大众市场领域包含电源、适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、音频设备、轻型电动汽 车、电动工具、机器人等；AI数据中心领域则有中间总线转换器、DC-DC转换器、备用电池。 本次合作中，安森美的系统专业知识以及英诺赛科成熟的GaN技术和制造工艺，将实现快速原型制作、 加速设计导入，并迅速进入主流市场。另外，依托安森美全球集成与封装经验及英诺赛科成熟的GaN产 能，实现真正面向大众市场的规模化生产，满足大批量产能爬坡需求。通过优化封 ...