芯片巨头，开辟新战线

三星电子和SK海力士分别与美国芯片巨头英伟达和英特尔合作，加剧了在低功耗服务器内存领域的竞 争。 SK海力士推出的新型RDIMM内存采用硅通孔技术制造，该技术是HBM的核心技术。通过将32Gb DRAM芯片堆叠成3D结构，并通过微型垂直通道连接，SK海力士实现了业界领先的256GB容量。 两家公司同时发布了各自的成果：SK海力士推出了新型高容量、高性能的通用动态随机存取存储器 (DRAM)产品，而三星则推出了新一代内存模块。 人工智能的兴起带动了内存需求的激增，高带宽内存(HBM)和传统服务器DRAM的价格也随之水涨船 高，导致三星和SK海力士之间的竞争日益激烈，两家公司都在争夺DRAM市场的霸主地位。 SK 海力士周四宣布，其基于32Gb第五代10纳米级(1b)DRAM的256GB DDR5寄存式双列直插内存模块 (RDIMM)已通过英特尔的兼容性和性能验证。 RDIMM 是一种内存模块，旨在确保即使安装多个 DRAM 芯片也能保持系统稳定。高容量产品主要用 于企业数据中心。 "这款产品是目前市面上基于 1B 32Gb DRAM 的最高容量 RDIMM，也是首款通过英特尔认证的同规格 RDIMM。"SK 海 ...