LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本

来源：环球网 【环球网科技综合报道】1月13日消息，据TheElec报道，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM） 的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。 目前，项目已产出内部测试的原型alpha版本。据消息人士透露，项目当时正处于概念验证阶段，团队 正有条不紊地开展各项测试工作。其中，混合键合工艺的测试是重点之一，团队使用模块和键合头进行 相关测试，力求优化工艺，确保设备性能达到预期。 据称，该项目获得多方支持，Justem也参与其中，负责开发该套件的系统。LG电子生产工程研究所 （PRI）于去年6月正式启动该项目。 报道还称，该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实 现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时， 可能在HBM领域竞争力不足。（青山） ...