打破20年技术僵局 西电团队攻克芯片散热世界难题

基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现 了42 W/mm和20 W/mm的输出功率密度。这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了30%到40%，是近 二十年来该领域最大的一次突破。 "这意味着，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加；对于通信基站而言，则能实现更 远的信号覆盖和更低的能耗。"周弘说道。 对于普通民众，这项技术的红利也将逐步显现。虽然当前民用手机等设备尚不需要如此高的功率密度， 但基础技术的进步是普惠的。未来，手机在偏远地区的信号接收能力可能更强，续航时间也可能更长。 更深远的影响在于，它为推动5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发展，储备了关键的核心器件能 力。 中新网西安1月14日电 (阿琳娜 郭楠楠)长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性 能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。"就像我们都知道怎么控制火候，但真正把握好却很 难。"西安电子科技大学领军教授周弘这样比喻。 记者14日从西安电子科技大学获悉，该校郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了 历史性跨越——通过将材料间的"岛状"连接转化为 ...