从“岛”到“膜”：西安电子科技大学攻克半导体散热世界难题

团队首创"离子注入诱导成核"技术，将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长。"就像把随机播 种变成规划播种，长出了整齐的庄稼。"团队成员、西安电子科技大学微电子学院教授周弘解释道，该 技术使氮化铝层从粗糙的"多晶岛"转变为原子级平整的"单晶薄膜"。实验显示，新结构界面热阻仅为传 统的三分之一。 （来源：千龙网） 在芯片制造中，不同材料层间的"岛状"连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的关键瓶颈。近 日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的"岛状"界面转变为原子 级平整的"薄膜"，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这项为半导体材料高质量集成提供"中 国范式"的突破性成果，于近日发表在《自然·通讯》与《科学进展》上。 "传统半导体芯片的晶体成核层表面凹凸不平，严重影响散热效果。"西安电子科技大学副校长、教授张 进成介绍，"热量散不出去会形成'热堵点'，严重时导致芯片性能下降甚至器件损坏。"这个问题自2014 年相关成核技术获得诺贝尔奖以来，一直未能彻底解决，成为射频芯片功率提升的最大瓶颈。 这项突破让氮化铝从特定的"黏合剂"转变为可适配多种材料的"通用集成平台"。"我们 ...