时代电气：当前公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型

证券日报网讯 1月16日，时代电气在互动平台回答投资者提问时表示，当前公司SiC第四代沟槽栅产品 已完成设计定型，达行业先进水平，第五代SiC技术也已完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高压平 面栅SiCMOSFET、1200V精细平面栅SiCMOSFET，1200VSBD等，1200V沟槽栅SiCMOSFET性能指标 基本对标国际龙头企业。公司SiCMOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求， 可广泛应用于新能源汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网 等领域。 （编辑 丛可心） ...