西电团队攻克芯片散热世界难题

本报讯（郭楠楠 中青报·中青网记者 孙海华）记者从西安电子科技大学（以下简称"西电"）获悉，近 日，该校郝跃院士张进成教授团队的一项最新研究实现历史性跨越——通过将材料间的"岛状"连接转化 为原子级平整的"薄膜"，使芯片的散热效率与综合性能获得飞跃性提升，打破了相关研究领域近20年的 技术停滞。相关成果已发表在国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》。 半导体器件，例如以氮化镓为代表的第三代半导体和以氧化镓为代表的第四代半导体中，不同材料层间 的界面质量直接决定了整体性能，因此将它们高效、可靠地集成在一起十分重要。传统方法使用氮化铝 作为中间的"粘合层"，但"粘合层"在生长时，会形成无数不规则且凹凸不平的"岛屿"。团队成员、西电 教授周弘解释："'岛状'结构表面崎岖，导致热量在界面传递时阻力极大，形成'热堵点'。热量散不出 去，就会在芯片内部累积，最终导致性能下降甚至器件烧毁。" 对于普通民众，这项技术的红利也将逐步显现。"未来，手机在偏远地区的信号接收能力可能更强，续 航时间也可能更长。"周弘表示，更深远的影响在于它为推动5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发 展，储备了关键的核心器件能力。 除了破纪录 ...