预计2026年DRAM与闪存价格将大幅上涨！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中冲高涨超2%，频现溢价交易

中泰证券指出，随着市场对科技产业的高预期逐步被验证，资本环境对科技创新更为友好。2026年长线 资金的入市将为科技板块提供重要支撑，主题投资或反复活跃，科技领域的预期博弈与价值发现过程将 成为市场长期焦点。 A股早盘呈现沪强深弱的走势，成交量小幅放大。科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数早盘一度 冲高涨逾2%，现跌1.03%，成交额达7909.82万元，盘中频现溢价交易。成份股中，新相微、东芯股 份、芯原股份涨超5%，澜起科技、中微半导、康希通信等多股跟涨，灿芯股份、成都华微、峰岹科 技、芯海科技、思瑞浦则跌超5%。 （文章来源：每日经济新闻） 消息面上，本轮科创芯片板块的强势表现主要受三重因素共振推动。①据网易及花旗报告，AI驱动的 存储芯片超级周期已确立，预计2026年DRAM与闪存价格将大幅上涨，直接提振全产业链盈利预期。② 今日头条指出，AI服务器对高端存储芯片需求激增，而三星、SK海力士等大厂持续控产，导致供需结 构性紧张。③同花顺财经报道显示，涨价潮已从存储蔓延至封测、CPU等环节，同时国产替代进程在政 策与技术双支撑下加速，为行业注入持续成长动力。 中银国际认为，当前中国半导体芯片行业 ...