我国科研团队实证氧化镓的室温本征铁电性

来源：科技日报 科技日报记者 何亮 记者25日从北京邮电大学获悉，该校物理科学与技术学院吴真平教授团队联合香港理工大学、南开大学 等单位，实验验证了主流宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）的室温本征铁电性，这标志着我国科研人员在 宽禁带半导体铁电性研究领域取得重要进展。相关研究成果发表在《科学进展》期刊上。 半导体、集成电路和芯片是极其重要的信息技术基础。氧化镓作为新一代超宽禁带半导体的"明星材 料"，凭借其超宽禁带和优异的抗击穿特性，在高功率电子器件与日盲探测领域具有广阔的应用前景。 然而，要让其具备类似"U盘"一样的记忆存储功能（即铁电性），是一个科学难题。这是因为，宽禁带 半导体为了保证电学稳定性，通常依赖于"刚性"的晶体结构；而铁电材料为了实现极化翻转即存储信 息，则需要原子具备"柔性"的位移能力。这种结构上的天然矛盾，使得"宽禁带特性"与"铁电性"往往被 认为难以兼得，也成为制约多功能电子系统发展的关键瓶颈。 面对这一挑战，北京邮电大学团队利用工业兼容的金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，成功制备 了纯相外延氧化镓（κ-Ga2O3）薄膜，并提供了其室温本征铁电性的确凿证据——研究团队通过精密的 实验 ...