存储涨价潮冲击 2026年手机市场承压

中经记者 谭伦 北京报道 在存储芯片持续涨价冲击下，全球手机市场将承压。 日前，市场研究机构Counterpoint Research发布的最新研报显示，为了应对DRAM（动态随机存储器） 和NAND Flash（闪存）的供求和价格上涨带来的成本压力，手机厂商将被迫对旗下终端产品进行涨 价，而这也将在一定程度上抑制消费者的购买需求。 因此，Counterpoint Research预计，此前一直受益于DRAM和NAND Flash成本下降的中低端智能手机市 场，将会在2026年承受前所未有的巨大压力，出货量将较2025年同比下降6.1%，同时，智能手机SoC出 货量同比下降7%。 另一大研究机构TrendForce在2月最新跟踪报告中亦指出，2026年第一季度，全球DRAM合约价上涨90% —95%，NAND合约价亦大幅上调。在此背景下，若干移动存储子品类（包括部分LPDDR5X与UFS4.0 规格）与消费级1TB SSD在近几个月内出现了数倍级或接近翻倍的现货与零售价格上涨。 受此推动，2026年在全球手机市场涨价也成为业内共识。CHIP中国研究室主任罗国昭向《中国经营 报》记者表示，此轮普涨来自AI训练需 ...