看好存储&先进逻辑扩产，设备商国产化迎新机遇

制程迭代推动设备结构升级，刻蚀与薄膜沉积价值量提升。先进制程结构复杂化带动图形化环节投资强 度提升。逻辑端GAA结构、存储端高层数3D堆叠，对高深宽比刻蚀(HAR)、高选择比刻蚀(ALE)以及 ALD等原子级沉积技术提出更高要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程 演进呈提升趋势。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升， 设备投资呈现"技术节点越先进、单位投资越高"的乘数效应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受 益。 外部制裁强化自主可控逻辑，国产替代进入加速阶段。美国、荷兰、日本持续强化对14nm及以下先进 制程设备出口限制，中国大陆作为全球最大设备需求市场，进口依赖度较高的涂胶显影、清洗、量检 测、光刻等环节国产化率仍低于25%。在政策支持与大基金三期落地背景下，国内晶圆厂扩产将更加倾 向国产设备采购。测算显示半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，预计2025 年达22%，仍具备广阔提升空间。平台型厂商覆盖面扩大、技术持续突破，将在先进制程与先进封装领 域获得更大份额。 东吴证券近日发布2026年度半导体设备行业策略： ...