光刻机：自主可控核心环节，国产替代迫在眉睫（附46页PDF）

点击 最 下方 "在看"和" "并分享，"关注"材料汇 光刻中的核心工具包括光掩膜、光刻机和光刻胶，分辨率、套刻精度、产能为光刻工艺中的关键参数，分辨率是指光刻机能清晰地在晶圆上投影出的最小特征尺 寸，可通过缩短波长、提高数值孔径、降低K1 工艺因子提高。 写在前面 （文末有惊喜） 一直在路上，所以停下脚步，只在于分享 包括： 新 材料/ 半导体 / 新能源/光伏/显示材料 等 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 正文 分辨率、套刻精度、产能为光刻机核心参数 光刻工艺是芯片制造流程中技术难度最大、成本最高、周期最长的环节，直接决定了芯片的最小线宽，定义了半导体器件的特征尺寸， 先进技术节点的芯片制造需 要60-90 步光刻工艺，光刻成本占比约为30%，耗费时间占比约为40-50% 。 套刻精度 是曝光显影后存留在光刻胶上的图形（当前层）与晶圆上已有图形（参考层）对准时能容忍的最大误差，可通过设备优化及材料与工艺协同提升，产能为 衡量光刻机生产效率的核心指标，可通过技术改进。 光源、照明系统、投影物镜为光刻机核心组件 光刻机是芯片制造的核心设备，光源系统、照明系统、曝光物镜系统为核心组件，光源为光刻提供能量 ...