突发！台积电放弃采购4亿美元ASML顶级光刻机！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 10月23日消息，据台媒报道，随着技术节点进一步微缩 1.4 纳米（A14）及 1 纳米 （A10），台积电面临新的制造瓶颈， 该公司决定放弃采购单价高达 4 亿美元的 ASML 高 数值孔径（High-NA）EUV 光刻机。 理论上，采购荷兰 ASML 公司尖端的高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机是解决该问题的 直接方案。然而，最新报道指出，台积电并未选择采购， 而是决定采用"光掩模护膜"技术作 为替代方案，以推进其 2 纳米等先进制程的研发与生产。 | | 光罩護膜(Pellicle)概況 | | --- | --- | | 重點 | 說明 | | 主要功能 | 保護光罩免受塵埃污染,使塵粒離焦不影響晶片成像,提升良 率與使用量命 | | 主要材料 | ●DUV 採氟聚合物(CYTOP):EUV 採超薄矽氮化物(SiNx)、碳 膜或行毒烯 | | | ·EUV 因吸收率高,需極薄、高透光材質 | | 關鍵性能指標 | 透光率、膜厚控制、熱穩定性、機械強度、缺陷密度、可穿透 梗測 | | ...