光刻胶领域，我国取得新突破

来源：科技日报 新方法"透视"光刻胶微观行为 可显著减少芯片光刻缺陷 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与 分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描（cryo-electron tomography，cryo-ET）技术， 首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观 三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。 相关论文 近日刊发于《自然-通讯》。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到 硅片上。光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不 准、好 不好，进而影响芯片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的 工艺优化只能靠反复试错，这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。他们在晶圆上进行标 准的光刻曝光后，将含有光刻胶聚合物的显影液快速吸取到电镜载网上，并在毫秒内将其急 速冷冻至玻璃态，"定格"光刻胶在溶液中的真实状态。 随后，研究人员在冷冻电镜中倾斜 ...