重大突破！芯片，大消息！

我国芯片领域取得新突破。 近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下 解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产 业化方案。 光刻是整个集成电路制造过程中耗时最长、难度最大的工艺，光刻胶则是光刻过程最重要的耗材，对光刻工艺 有着重要影响。随着中国半导体厂商的强势崛起以及下游需求的扩大，光刻胶的市场规模持续增长，据锐观产 业研究院报告，2024年我国光刻胶市场规模增长至114亿元以上，KrF光刻胶等中高端产品国产替代进程加 快，预计2025年光刻胶市场规模可达123亿元。 重大突破 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。他们在晶圆上进行标准的光刻曝光后， 将含有光刻胶聚合物的显影液快速吸取到电镜载网上，并在毫秒内将其急速冷冻至玻璃态，"定格"光刻胶在溶 液中的真实状态。 随后，研究人员在冷冻电镜中倾斜该样品，采集一系列倾斜角度下的二维投影图像，再基于计算机三维重构算 法，将这些二维图像融合成一张高分辨率的三维视图，分辨率优于5纳米。这种方法一举解决了传统技术无法 原位、三维、高分辨 ...