存储技术迭代无止境？巨头纷纷押注HBF

综合Digitimes、韩国Financial News等媒体报道，三星、SK海力士、闪迪等存储厂商正纷纷投入HBF技术的研发。在前不久举行的2025 OCP全球峰会上，SK海力士推出了名为"AIN系列"的全新产品线，其中就包含HBF。在此之前，该公司与闪迪签署了一项谅解备忘录，并 表示双方将共同制定HBF技术规范。 与此同时，三星也已经启动其自有HBF产品的早期概念设计工作。 HBF，全称High Bandwidth Flash，即高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。被 称作"HBM之父"的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出， 虽然NAND闪存比DRAM慢，但它提供了大约10倍的容量 ， 这对于支持 下一代AI可能至关重要。 随着AI推理市场迅速增长，存储行业逐渐步入"后HBM时代"——不仅三星、SK海力士等存储巨头纷纷推进第六代HBM，更有全新技术如 HBF正"虎视眈眈"，试图参与到这场AI存力竞争的浪潮中来。 广发证券指出，随着AI推理需求快速增长，轻量化模型部署推动存储容量需求快速攀升，预计未来整体需求将激增至数百EB级别。 在此背景下，容 ...