三星：NAND闪存功耗大降96%！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 三星电子宣布，由SAIT和半导体研究所的34位研究人员共同撰写的题为"用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管"的论文已发表在著名学术期刊《自然》上。 这项研究代表了一项基础性技术，它首次在全球范围内发现一种核心机制，与现有技术相比，利用铁电材料可将功耗降低高达96%。 这项研究是SAIT和半导体研究所34位研究人员的独立研发成果，他们共同撰写了该论文。SAIT公布的研究证实，通过结合铁电材料和氧化物半导体材料 的NAND闪存结构，与现有技术相比，在单元串操作（NAND闪存中单元串联的结构）中，功耗最多可降低96%。 现有的NAND闪存通过向单元注入电子来存储数据，为了增加存储容量，必须增加单元（堆叠层）的数量。然而，由于NAND闪存的结构特性，信号需要 依次通过串联的单元进行传输，因此随着堆叠层的增加，所需的电压也会升高，从而导致读写功耗增加。 因此，下一代NAND闪存的研究利用了铁电材料的特性，这种材料可以通过自发改变极化来存储信息，而无需向单元注入电子。然而，容量增加和功耗降 低之间的权衡关系仍然没 ...