三星将大规模量产HBM4芯片!
国芯网·2025-12-26 11:12
不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 12月26日消息,据韩媒报道,三星将在 2026 年 2 月开始大规模量产 HBM4 芯片,其竞争对手 SK 海力士也会在大致相同的时间开始量产,成为全球内存 半导体行业首例。 业内人士透露,SK 海力士将从明年 2 月起,在韩国京畿道利川 M16 工厂、清州 M15X 工厂全面启动生产。而三星也将于同一时间在平泽园区启动 HBM4 量产工作。 据报道,HBM4 不只是一次单纯的性能升级,而是转向客制化产品的重要分水岭。其中 SK 海力士选择与台积电合作,在 HBM4 的基底 Die 上采用 12nm 制程工艺,让带宽相比上代型号提升 2 倍,能效比提升 40% 以上。 而三星则凭借 Turnkey方案、领先制程技术正面迎战,这家厂商选择果断导入 10nm 先进制程,在内部技术评估中实现 11.7Gbps 的行业领先性能,因此有 足够的自信将量产时间提前至 2 月。 国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 同时,三星生产出的 HBM4 芯片大部分都将供应给英伟达的下一代 AI 加速器系统"Vera Rubin",计划 2026 年下旬发布 ...