未来芯片散热全景图

即将到来的 2026 年，摩尔定律的指针将跨越 FinFET 正式拨向 "CFET" （互补场效应晶体管）时代，芯片性能的博弈已不再仅仅局限于尺寸的微缩，而演变成了一场关乎物理极限的"生存 挑战"。 为了不让昂贵的芯片在运算中"过热"，工程师们不得不接受一个残酷的现实：让大量晶体管在通电时保持静止状态——这便是困扰行业已久的" 暗硅（Dark Silicon） "难题。如今，尖端 AI 芯片内部的热点功率密度已然超越了火箭喷嘴喷射时的炽热。在这场算力竞速中，制程不再是唯一的胜负手， "谁能更有效地搬运热量" ，谁才能真正释放被封印的算力潜能。 01 宏观危机：热通量爆炸与"暗硅"困局 在过去五十多年里，在摩尔定律"每两年晶体管数量翻倍"的趋势推动下，工程师们不断提升单位面积内可集成的晶体管数量。技术发展 过程中芯片 设计、制造、以及材料何设备等产业链人 员 发挥所长从材料到设计制备持续优化，使得摩尔定律能够持续的演进。 然而，当整个产业长期聚焦于逻辑密度的提升时，一个不可忽视的副作用也日益凸显—— 热管理问题 。在当今 CPU、GPU 所采用的片上系统（SoC）架构中，温度直接影响处理器的性能、 功耗和能源效 ...