性能突破性提升！我国攻克半导体材料世界难题

从"岛"到"膜"：西安电子科技大学攻克半导体散热世界难题。 在芯片制造中，不同材料层间的"岛状"连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的 关键瓶颈。 近 日 ， 西 安 电 子 科 技 大 学 郝 跃 院 士 、 张 进 成 教 授 团 队 通 过 创 新 技 术 ， 成 功 将 粗 糙 的 " 岛 状"界面转变为原子级平整的"薄膜"，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这项 为半导体材料高质量集成提供"中国范式"的突破性成果，已发表在《自然·通讯》与《科 学进展》上。 基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫 米和20瓦/毫米，将国际纪录提升30%—40%。这意味着同样芯片面积下，装备探测距离 可显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能。 来源：科技日报 End 欢迎分享给你的朋友！ 出品 | 中国能源报（c n e n e rg y） 责编丨李慧颖 ▲ 郝跃院士（左四）指导师生实验。图片来源：西安电子科技大学 "传统半导体芯片的晶体成核层表面凹凸不平，严重影响散热效果。"西安电子科技大学副 校长、教授张进成介绍，"热量散不出去会形成'热堵点'，严重时导致芯片 ...