我国攻克半导体材料世界难题

近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术， 成功将粗糙的"岛 状"界面转变为原子级平整的"薄膜"，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。 这项为 半导体材料高质量集成提供"中国范式"的突破性成果，已发表在《自然·通讯》与《科学进 展》上。 团队首创"离子注入诱导成核"技术， 将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长。实 验显示， 新结构界面热阻仅为传统的三分之一。 基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米 和20瓦/毫米，将国际纪录提升30%—40%。这意味着同样芯片面积下，装备探测距离可 显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能。 来源：科技日报 更多财经视频，请关注视频号"新浪财经" 郝跃院士（左四）指导师生实验。图片来源：西安电子科技大学 "传统半导体芯片的晶体成核层表面凹凸不平，严重影响散热效果。"西安电子科技大学副 校长、教授张进成介绍，"热量散不出去会形成'热堵点'，严重时导致芯片性能下降甚至器 件损坏。"这个问题自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来， 一直未能彻底解决，成为 射频芯片功率提升的最大瓶颈。 据科技日报，在芯片制造中 ...