存储涨价，闪现新信号

以下文章来源于科创板日报 ，作者郑远方 科创板日报 . 不过，现货价与合约价情况不同，一线OEM与普通OEM的成本也不尽相同。 美银指出，DRAM现货与合约价格仍存在明显落差。一线OEM拿到的DRAM合约价格仍大致在每GB 1020美元区间，远低于现货市场水 准， 现货价格后续可能朝合约价格回归。 部分模组厂也表示，若DDR4或DDR5价格回落至2030美元区间，不论容量或规格，市场仍具备明显追加采购动能。 美银指出， 目前不好将这次回调定义为"产业反转"或是"硬着陆"的早期信号，但短期价格波动已开始反映终端成本。 回调是短暂的，从机构预期来看，涨价依旧是存储产业的"主旋律"。 TrendForce今日发布的存储产业调查显示， 2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，全面 上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格环比增幅， 预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的55%~60%环比增幅，改 为上涨90%~95%，NAND Flash合约价则从环比增幅33%~38%上调至55%~60%，并且不排除仍有进一步上调空间。 此外，美银已 ...