纳秒级测温、原子级操控：11位专家透视芯片可靠性底层“密码”

会议现场 题。 刘紫园报告从基础物理视角切入，聚焦半导体器件中表界面这一关键但常被忽视的维度。她指出，界面质量直接决定器件性能，但表面状态会 通过氢的远程扩散行为，间接影响界面稳定性与器件可靠性。报告中，她介绍了利用氢作为探针、结合离子束分析技术开展的系统性研究，揭 示了氮化膜表面经不同工艺处理后形成的"开关"效应——即表面纳米级薄层可调控氢的渗透行为，进而影响器件的NBTI寿命及Fl a s h存储器的 可靠性。她强调，这种表面调控机制为理解工艺波动对可靠性的影响提供了新思路，也为新材料界面的优化设计带来了可行的表征路径。最 后，还分享了团队自主搭建的高灵敏度氢检测平台，期望与产业界深入合作，共同推进从材料表征到器件可靠性的跨尺度研究。 摘要： 2026 中国半导体检测研讨会聚焦芯片可靠性。11位专家分享氢扩散、热电子成像等前沿技术，揭示微观机理与工程验证协同趋势，助力破解可靠性难 特别提示 微信机制调整，点击顶部"仪器信息网" → 右上方"…" → 设为 ★ 星标，否则很可能无法看到我们的推送。 仪器信息网讯 3月2 8日， 2 0 2 6中国半导体检测与失效分析研讨会 进入专题报告环节。在下午进行的专题 ...