如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 trendforce & zdnet，谢谢。 随着人工智能需求的激增，高带宽内存（HBM）已成为存储巨头的关键战场，美光为此专门成立 了 HBM 业务部门。该公司在其新闻稿中表示，新的架构将于 2025 年 5 月 30 日开始的 2026 财 年第四季度初到位，从该季度起将采用新的财务报告格式。 据美光公司称，新的组织架构将由四个部门组成，包括云内存业务部门（CMBU）、核心数据中 心业务部门（CDBU）、移动与客户端业务部门（MCBU）以及汽车与嵌入式业务部门 （AEBU）。 据韩国媒体 etnews 报道，新成立的 CMBU 将特别专注于为超大规模云服务提供商提供内存解决 方案，并负责美光的 HBM 业务。该报道指出，此举被视为一项战略举措，旨在为微软和亚马逊网 络服务（AWS）等关键客户提供定制化内存。 与此同时，etnews 的报道指出，由于超大规模客户和原始设备制造商（OEM）有着不同的需求， 因此 CDBU 将负责戴尔、慧与和技嘉等 OEM 服务器客户。 这一举措似乎合情合理，因为美光急于缩小与 HBM 领导者 SK 海力士之间的差距。正 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 zdnet ，谢谢。 SK海力士强调，下一代HBM（高带宽存储器）的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面，与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天，副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务：带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高，性能越好。要增加带宽，通常需要增加 I/O（输入/ 输出端口）的数量。事实上，对于 HBM4（第 6 代），I/O 数量与 HBM3E（第 5 代）相比增加 了一倍，达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽，有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O，"该副 总裁解释道。 "但是，仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事，因此需要进行一些工作，例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此，下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说，功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片，负责堆叠 DRAM 的核心 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自IEEE，谢谢。 人们期待已久的新兴计算机网络组件可能终于迎来了它的时代。在上周于圣何塞举行的Nvidia GTC 活动上，该公司宣布将生产一种光纤网络交换机，旨在大幅降低 AI数据中心的功耗。该系统称为共 封装光学器件（CPO）交换机，每秒可将数十兆比特的数据从一个机架中的计算机路由到另一个机 架中的计算机。 如今，在数据中心中，计算机机架中的网络交换机由专用芯片组成，这些芯片通过电气方式与插入 系统的光收发器相连（机架内的连接是电气的，但有几家初创公司希望改变这一现状）。可插拔收 发器结合了激光器、光电路、数字信号处理器和其他电子设备。它们与交换机建立电气连接，并在 交换机端的电子比特和沿光纤穿过数据中心的光子之间转换数据。 共封装光学器件是一种通过将光/电数据转换尽可能靠近交换芯片来提高带宽并降低功耗的方法。这 简化了设置，并通过减少所需的独立组件数量和电子信号必须传输的距离来节省电力。先进的封装 技术使芯片制造商能够用多个硅光收发器芯片包围网络芯片。光纤直接连接到封装上。因此，除激 光器外，所有组件都集成到一个封装中，激光器保持外部，因为它们是 ...

新国际博览中心M47会议室-（N4与N5馆夹层） 会议看点 在全球半导体产业的链条中，先进的键合技术是芯片制造的关键环节，它不仅体现了技术的高度，也影 响着市场占有率，从而决定了各国在半导体行业中的竞争力。长久以来，高端键合设备基本上依赖进 口，键合衬底材料技术受制于人，这成了悬在中国半导体产业头顶的达摩克利斯之剑。在全球半导体行 业竞争愈发激烈的今天，自主研发国产先进键合设备，推动国产替代，已经成为一项刻不容缓的战略任 务。在这样的形势之下，多家国内企业正积极加大研发力度，力图在键合设备技术上取得突破，担起国 产化替代的重要使命。 作为半导体键合集成技术领域的领军企业，青禾晶元始终坚持自主创新，成功开发出四大自主知识产权 产品矩阵，包括：超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备及全系列键合工艺服务。这些 技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域。 2025年3月36日上午，借行业盛会——SEMICON China之际，青禾晶元将于上海新国际博览中心举办 主题为"领航键合未来，智创产业新局"—— 青禾晶元先进键合技术革新分享会。 青禾晶元诚邀行业同 仁莅临现 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译zdnet，谢谢。 三星电子正专注于"Fluxless"作为高堆栈HBM（高带宽存储器）的一种新型键合技术。据了解，他们 近期已开始对主要合作伙伴及相关设备进行演示测试。 尽管"无助焊剂"技术仍被评估为处于研发（R&D）水平，但业界正在评估它正在被认真考虑作为下一 代HBM键合技术的潜在候选技术。 据业内人士4日透露，三星电子正在审查包括无助焊剂在内的各种方法作为 下一代HBM键合技术。为 此，三星电子今年年初与主要海外合作伙伴开始了无助焊剂键合的初步评估工作。应用的是HBM4 （第六代），目标是在今年年底完成评估。 据悉，三星电子注意到了这些优势，一直在密切研究无助焊剂键合的应用。 知情人士解释道，"三星电子最初计划首先将无助焊剂键合引入逻辑半导体，但由于其将投资重点放 在内存上，因此据了解，它首先开始评估其在 HBM4 上的应用"，并补充道，"目标是在今年年底前 无助焊剂键合，易于实现高层、高密度HBM 目前，三星电子正在采用"NCF（非导电粘合膜）"作为HBM制造的后处理技术。 HBM 是一种垂直堆叠多个 DRAM 以提高数据处理性能的存储器半导体 ...