3D-DRAM时代或将到来-国产存储迎来新机遇

3D DRAM 时代或将到来，国产存储迎来新机遇 20241031 摘要 • 存储器芯片市场正经历着从 2D 向 3D 的重大转变，3D NAND 技术已广泛应 用于各类设备，而 3D DRAM 技术也正在快速发展。 • 中国存储芯片企业在高端领域面临设备获取和专利壁垒的挑战，但通过纵 向升维模式，有可能避开对 EUV 光刻机的依赖，实现技术突破。 • 3D NAND 技术通过将基本单元旋转 90 度，实现堆叠结构，提升了存储容 量，目前常见产品已达到 100 多层，海外厂商正在推进 300 层以上产品的 发展。 • DRAM 与 NAND 相比，其工作原理和发展路径不同，3D 开发难度更大，需要 新工艺和材料创新，目前仍以二维形态为主，但未来有望实现 3D 架构。 • 全球存储芯片市场格局高度垄断，三星、海力士与美国美光占据了约 95% 的市场份额，中国存储芯片企业在高端领域市场份额较低，但未来几年有 望进一步发展。 • HBM 通过 3D 先进封装形式，有效解决了传统 DRAM 在高性能计算中遇到的 "内存墙"限制，在大模型训练过程中显著提高了系统级性能。 Q&A 请介绍一下存储器芯片的发展历程及其在不同 ...