道氏技术20250821

道氏技术 20250821 摘要 道氏技术单壁碳纳米管的基底比和比表面积均处于行业领先水平，粉体 基底比超过 100，比表面积达到 1,000~1,300，优于国内同行及部分 进口产品，展现了其在材料性能上的优势。 道氏技术正加速单壁碳纳米管的产业化，预计 2025 年底实现年产 50 吨产能，2026 年中达到 120 吨。通过技术突破降低制造成本，提升产 品竞争力，主要出售浆料产品，并计划出口部分粉体订单。 单壁碳纳米管主要应用于数码和消费领域，占比超过 80%，与硅碳负极 配套使用。随着对高倍率、续航里程等要求的提升，其在半固态和全固 态电池中的应用前景广阔。 道氏技术在固态电池材料领域布局广泛，包括单壁碳纳米管、硅碳负极、 高镍三元等，并成立固态电池研究院，重点研发固态电解质、锂金属负 极及 AI for Science，构建完整解决方案。 道氏技术与电子科技大学合作开发超薄锂金属负极，采用高温熔融法一 步法成膜，适用于卷对卷生产，有望解决传统机械压延法成本高的问题， 加速锂金属负极的产业化。 Q&A 道氏技术最新的单壁碳纳米管产品性能指标是否有所提升？ 目前道氏技术生产的单壁碳纳米管在基底比上可以稳 ...