未知机构：美国限制措施使中国长鑫存储受阻低良率制约DRAM增长1-20260213

作为中国存储器布局领军企业的长鑫存储科技（CXMT），其 DRAM 产能据称已在去年第四季度达到峰值并触 及天花板。 在美国预计将收紧出口管制、中国政府全力推动半导体设备国产化的背景下，业界普遍认为，受先进半导体设 备限制影响，新增产能扩张将受到制约。 根据市场研究机构 Om 美国限制措施使中国长鑫存储受阻，低良率制约 DRAM 增长 1、产能现状与扩张受限 作为中国存储器布局领军企业的长鑫存储科技（CXMT），其 DRAM 产能据称已在去年第四季度达到峰值并触 及天花板。 在美国预计将收紧出口管制、中国政府全力推动半导体设备国产化的背景下，业界普遍认为，受先进半导体设 备限制影响，新增产能扩张将受到制约。 根据市场研究机构 Omdia 的数据（ChosunBiz于 12 日获取），CXMT的月均晶圆（半导体基板）产量已达到约 24 万片的最高水平。 美国限制措施使中国长鑫存储受阻，低良率制约 DRAM 增长 1、产能现状与扩张受限 他还补充道："如果中国明年成功实现设备国产化，CXMT有望自 2027 年起恢复扩张，包括其上海新工厂在 内。 " 业内核心人士表示，在自 2024 年以来持续扩张产能之后，CX ...