HBM证券存储专题三：时代核心存力HBM

行业观点 HBM是AI时代的必需品。HBM解决了传统 GDDR遇到的“内存墙”问题，采用了存算一体的近存计算架构，通过中间介质层 紧凑快速地连接信号处理器芯片，极大节省了数据传输的时间与耗能，HBM采用堆栈技术较传统 GDDR节省较大空间占用。 在应对未来云端 AI的多用户，高吞吐，低延迟，高密度部署需求，计算单位剧增使 I/O 瓶颈愈加严重，使用 GDDR解决代 价成本越来越高，HBM使得带宽不再受制于芯片引脚的互连数量，在一定程度上解决了I/O瓶颈。综合来看，高带宽、低功 耗、高效传输等性能使其成为高算力芯片的首选。 HBM核心技术在于硅通孔技术（TSV）和堆叠键合技术，对封装技术和散热材料提高需求。HBM通过 SIP和 TSV 技术将数个 DRAM裸片垂直堆叠，在 DRAM晶片上打数千个细微的孔，通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术，可显著提升数据传输速 度。同时，SK海力士采用 MR-MUF键合工艺，在芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，实现了更低的键合应力和更优的 散热性能，TSV+堆叠键合工艺成为当前 HBM 的理想方案，但随着堆叠层数增加，散热要求进一步增加，混合键合有望成为 下一代HBM4选 ...