高新发展(000628) - 2023 Q4 - 年度财报

1、概述 （2）功率半导体业务 ②夯实IGBT研发实力，进一步提升产品转化率。森未科技进一步完善以项目制为基本的研发制度，推进先进技术预研、 强化新产品市场化研发。先进技术预研紧密结合公司功率半导体板块的产线开发规划，推进高电流密度、高结温的IGBT和 集成化SiC MOS器件研发，持续锻造未来产品的核心竞争力；新产品开发以市场为导向，实现全电压等级的产品更新换代， 单颗芯片电流规格覆盖50A-300A的产品研发。报告期，IGBT应用最新一代"微沟槽+场截止"芯片设计技术，成功研发并 量产的第7代"精细沟槽+FS技术"芯片，具有更低的饱和压降，电流密度超过300A/cm2，性能达到国际领先水平。此外， 成都高新发展股份有限公司 1 第一节 重要提示、目录和释义 完整。 公司请投资者认真阅读本年度报告全文。公司在本报告第三节"管理层讨 论与分析"中公司未来发展的展望部分描述了公司未来经营中可能面临的风险 以及应对措施，敬请广大投资者注意查阅。 2 | --- | |-------------------------------------------------------------------------- ...