中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件集成度

金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯 京城集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结 构及其形成方法"的专利，公开号CN 119833523 A，申请日期为2023年10月。 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供存储晶圆，存储晶圆包括第二衬底，具 有相对的第三面与第四面，包括位于第三面上的第二器件层；提供第一衬底，包括第一半导体层、位于 第一半导体层表面的埋氧层以及位于埋氧层表面的第二半导体层，第一衬底包括相对的第一面和第二 面，第一面为第二半导体层表面；在第一面表面形成第一器件层；将第三面与第一器件层相键合；在第 一半导体层内形成阱区；在第一衬底、第一器件层以及存储晶圆内形成贯穿第一衬底、第一器件层以及 存储晶圆的第一导电插塞；在第二面表面形成第一互连结构，第一互连结构与阱区电连接。各晶圆沿竖 直方向电连接，使得各晶圆表面无高度差且减小水平方向芯片面积，提高器件集成度。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事 计算机、通信和 ...