中芯国际申请半导体测试结构及其形成方法专利，提升测试便利性

金融界2025年4月25日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国 际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体测试结构及其形成方法"的专利，公开号 CN119812161A，申请日期为2023年10月。 专利摘要显示，一种半导体测试结构及其形成方法，方法包括：提供第一衬底，包括第一半导体层、埋 氧层和第二半导体层，第一衬底包括第一面和第二面，第一面为第二半导体层表面，第一衬底具有待测 区；在第一面表面形成器件层，器件层内具有位于待测区表面的待测器件栅极，待测器件栅极两侧第二 半导体层内具有源区和漏区；在待测区的第一半导体层内形成阱区；在第二面表面形成第一互连结构， 第一互连结构与阱区和待测器件栅极中的一者或两者电连接；提供测试衬垫，测试衬垫位于第二面上， 第一互连结构与测试衬垫电连接。测试衬垫从第二面与第一互连结构电连接，提升了测试的便利性；埋 氧层位于第一半导体层表面，使得器件层各处高度相等，避免电路模块间的高度差。 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000 ...