中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于实现更多的器件功能

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯 国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号 CN119920780A，申请日期为2023年10月。 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括器件区和互连区，在器 件区的基底上形成器件，形成覆盖器件和基底的介质层，形成贯穿互连区的介质层、且位于基底中的通 孔互连结构，沿基底背向介质层的一面进行减薄处理，直至露出通孔互连结构。本发明有利于实现更多 的器件功能，提高半导体结构的电路多样性。 来源：金融界 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和 其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成 电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息 149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从 事计 ...