中芯国际申请光电集成的半导体器件及其制备方法专利，结构简单

来源：金融界 金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯 国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为"一种光电集成的半导体器件及其制备方法"的专利， 公开号CN120035238A，申请日期为2023年11月。 专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光电集成的半导体器件及其制备方法。该半 导体器件包括具有同一衬底的像素单元和逻辑单元，像素单元包括过渡层和位于过渡层上的光吸收层， 上述过渡层的材料包括光吸收层的材料；其中，像素单元用于将通过光吸收层吸收的近红外光转换为电 信号，并传输给逻辑单元；逻辑单元包括源漏结构，源漏结构包括过渡层；逻辑单元用于对电信号进行 逻辑处理。本发明提供的半导体器件具有结构简单，便于小型化以及制备效率高的特点。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息 5000条，此外企 ...