中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，极大提升半导体结构的良率

中芯京城集成电路制造（北京）有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和 其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯京城集成 电路制造（北京）有限公司参与招投标项目34次，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可248个。 金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯京城 集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结构及其 形成方法"的专利，公开号CN120237113A，申请日期为2023年12月。 专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构包括：衬底，包括相对的第一 面和第二面；贯穿衬底的互连通孔；位于第一面表面和互连通孔的侧壁表面的第一电极层、位于第一电 极层表面的介电层以及位于介电层表面的第二电极层；位于互连通孔内的第二电极层表面的隔离层；位 于互连通孔内的隔离层表面的导电层，导电层填充满互连通孔，且第二面暴露出导电层，第一电极层、 介电层、第二电极层的存在，缩小了互连通孔内隔离层的形成空间，从而减了互连通孔内隔离层的形 ...