中芯国际申请反熔丝结构相关专利，提升反熔丝结构的编程效果和可靠性

金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项 名为"反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法"的专利，公开号CN120261440A，申请日期为 2024年01月。 专利摘要显示，一种反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法，其中反熔丝结构包括：第一晶 体管结构，所述第一晶体管结构包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二晶体管结构，所述第二晶体 管结构包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极与所述第一栅极电连接；电容结构，所述第 一源极与所述电容结构电连接。增设所述第二晶体管结构，且所述第二晶体管结构的第二源极与所述第 一晶体管结构的第一栅极电连接。通过控制所述第二晶体管结构工作在饱和区，使得所述第二晶体管结 构的第二源极具有稳定的电压输出，以此保证所述第一晶体管结构的第一栅极的电压稳定，进而提升反 熔丝结构的编程效果和可靠性。 来源：金融界 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事 计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国 ...