中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提升产品的良率

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电 路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150 条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。 来源：金融界 金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际 集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结构的形成方法"的专利，公开号CN120261287A， 申请日期为2024年01月。 专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成硅层；在所述硅层上 形成金属层；对所述金属层和所述硅层进行第一热处理，以形成初始金属硅化物层；采用第一酸洗处理 去除剩余的所述金属层；在所述第一酸洗处理之后，对所述初始金属硅化物层进行第二酸洗处理，去除 在形成所述初始金属硅化物层的过程中产生的副产物；在所述第二酸洗处理之后，对所述初始金属硅化 物层进行第二热处理，以形成金属硅化物层。通过从工艺流 ...