高密度DTC硅电容量产上市——森丸电子发布系列芯片电容产品

01.硅电容：被动电子元件的革命性突破 硅电容(Silicon Capacitor)采用单晶硅衬底，通过深槽刻蚀技术在硅晶圆上构建三维微结构，再通过一系列薄膜沉积与刻蚀工艺实现高纯度电介质层。这种融 合半导体制造工艺的创新设计，使电容性能获得了质的飞跃： ·卓越的容值稳定性：包括温度、偏压和老化特性引起的容值漂移，不到MLCC的1/10； ·超薄形态：可实现低于50微米的超薄厚度，甚至不到头发丝直径； ·超高密度：单位面积容量提升10倍以上； ·极低的ESL和ESR：保证信号完整性，降低电源燥声和阻抗。 传统MLCC采用陶瓷粉未堆叠烧结工艺，存在先天不足：陶瓷层间易产生微裂纹，高温烧结导致内部应力积聚，多层结构带来高寄生电感。而硅电容的单晶 硅基底具有高度有序的原子排列，无晶界缺陷，从根本上解决了这些痛点。 硅电容并非对MLCC的简单改良，而是一种基于半导体工艺的根本性技术革新。其优势体现在多个维度，直接解决了MLCC在高性能应用中长期存在的"隐 性妥协"。在5G/6G通信、高速处理器(如AI、HPC)的电源分配网络 (PDN)、汽车电子(如ADAS、BMS)、医疗设备(植入式与体外诊断)等高端领域，硅电容正 ...