我国碳化硅激光剥离技术实现重大突破，单片切割损耗降至75微米以下

来源：深圳平湖实验室 通过进一步进行激光剥离的机理研究和优化激光剥离的工艺参数，2025年6月实现激光剥离的单片总损 耗≤75μm，单片切割时间20min，单片成本降低约26%，单台设备切割时间从60分钟/片缩短至20分钟/ 片，结合智能化产线，产能提升3倍，为规模化生产奠定基础。并且已完成三批次的小批量验证，良率 100%。 随着新能源汽车、光伏等领域对碳化硅需求激增，国产激光剥离技术的成熟将为产业链自主化注入强劲 动力。 | 参数指标 | Disco_6inch | Infineon_6inch | 深圳平湖实验室 | | | --- | --- | --- | --- | --- | | | | | 6inch | 8inch | | 单片总损耗 (um) | ~100 | ~80 | 575 | ૬૪૨ | | 切割时间(min) | -20 | 30 | ≤20 | $30 | 近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳平台（深圳平湖实验室）宣布在碳化硅衬底加工领域取得里 程碑式进展。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统，成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的 280-300微米降至75微米以下，单片 ...