中芯国际申请存储器结构及其形成方法专利，减小了由于沟道长度缩短带来的短沟道效应

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电 路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150 条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。 来源：金融界 专利摘要显示，一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于衬底上的沟道结构， 所述沟道结构包括位线区以及源线区，所述沟道结构的材料包括过渡金属硫化物；位于所述源线区上的 擦除栅、位于所述源线区上的浮栅、位于所述浮栅上的控制栅结构、位于所述源线区上的字线栅，所述 浮栅位于所述擦除栅和所述字线栅之间，所述浮栅的材料包括石墨烯材料；位于所述位线区上的位线。 采用过渡金属硫化物作为沟道材料，以及采用石墨烯材料作为浮栅，减小了由于沟道长度缩短带来的短 沟道效应、以及沟道和浮栅之间的漏电问题，提高了存储器结构的性能以及降低了存储面积。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事 计算机、通信和其 ...