中芯国际申请存储单元结构及形成方法专利，减少存储单元结构横向尺寸

来源：金融界 专利摘要显示，一种存储单元结构及存储单元结构的形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上的位 线结构和源线结构，位线结构和源线结构之间具有第一开口；位于第一开口内的擦除栅结构，擦除栅结 构与位线结构之间具有第二开口；位于第二开口内的浮栅结构，浮栅结构与擦除栅结构之间具有第三开 口；位于第三开口内的控制栅结构，控制栅结构和位线结构之间具有暴露出浮栅结构的第四开口；位于 第四开口内的字线栅结构。擦除栅结构、浮栅结构、控制栅结构以及字线栅结构位于位线结构和源线结 构之间，实现存储单元结构中纵向的电子传输沟道，减少了存储单元结构在横向的尺寸。 金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国 际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"存储单元结构及存储单元结构的形成方法"的专利，公开 号CN120379260A，申请日期为2024年01月。 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电 路制造(上海)有限 ...