中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体结构的制程效率

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：形成第一部，第一部至少包括第一 金属层、介质层以及第一电互连结构；形成第二部，第二部至少包括器件结构、第二金属层以及第二电 互连结构；键合第一部和第二部，第一金属层和第二金属层在朝向第一部的方向具有投影重叠区域，第 一电互连结构与第二电互连结构电连接。第一部和第二部可以同步制作以提升半导体结构的制程效率。 第一部和第二部键合连接时，第一部中沉积介质层的热应力已经完全释放，不会对第二部中的器件结构 造成影响。由于第一部是单独的制作形成，在形成第一部的过程中不用考虑介质层的薄膜应力和热预算 的限制，可以对电容隔离器节点层进行加厚，以提升电容隔离器的耐压性能。 金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际 集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号 CN120413548A，申请日期为2024年01月。 来源：金融界 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事 计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注 ...