HBM，挑战加倍

高带宽内存（HBM）作为下一代动态随机存取存储器（DRAM）技术，其核心创新在于独特的 3D 堆叠结构 —— 通过先进封装技术将多个 DRAM 芯片 （通常为 4 层、8 层甚至 12 层）垂直堆叠。这种结构使 HBM 的带宽（数据传输速率）远高于 GDDR 等传统内存解决方案。 01 HBM市场，SK海力士独领风骚 依托 HBM 技术的领先优势，SK 海力士在行业中的地位持续攀升。市场数据显示，自 2024 年第二季度起，美光与 SK 海力士的 DRAM 市场份额持续增 长，三星则逐步下滑；而在 HBM 领域，原本与三星近乎平分秋色的格局被打破，截至今年第一季度，两者份额差距已扩大至两倍以上。 更具标志性的是，今年第二季度，SK 海力士以约 21.8 万亿韩元的 DRAM 及 NAND 销售额，首次超越三星电子（约 21.2 万亿韩元），登顶全球存储销售 额榜首。这一突破很大程度上得益于其 HBM 产品的强势表现 —— 作为英伟达的主要独家供应商，SK 海力士早期虽未在 HBM 市场脱颖而出，但随着全 球 AI 开发热潮兴起，其高性能、高效率的产品需求激增，增长显著。 | | HBM1 | HBM2 | H ...