晶合集成申请一种沟槽型MOSFET器件的制备方法及MOSFET器件专利，提高沟槽型MOSFET的耐压性能

金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名 为"一种沟槽型MOSFET器件的制备方法及MOSFET器件"的专利，公开号CN120529608A，申请日期为 2025年07月。 专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型MOSFET器件的制备方法，包括：以衬底上表面的图形化外延 层作为掩膜，在衬底中形成沟槽，并去除外延层；在沟槽底部、侧壁以及衬底上表面上方形成第一栅介 质层和层叠在第一栅介质层上的第一栅极层，其中，第一栅极层的厚度满足第一厚度阈值条件；去除沟 槽底部和衬底上表面的层叠在第一栅介质层上的第一栅极层；在沟槽底部的第一栅介质层上方沉积第二 栅介质层；在第二栅介质层上方沉积第二栅极层，第二栅极层的上表面与衬底上方的第一栅介质层的上 表面齐平，其中，第二栅极层的厚度满足第二厚度阈值条件。 天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算 机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据 分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次， ...