中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低了半导体结构中产生泄露电流的风险

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分 析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索 方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可449个。 金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请 一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120529616A，申请日期为2024年02月。 专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，所述基底包括沟道区域以及位于所述 沟道区域两侧的源漏区域；绝缘层，位于所述沟道区域的基底顶部；沟道结构层，悬置于所述绝缘层的 顶部，所述沟道结构层包括一个或多个在纵向上间隔设置的沟道层；器件栅极结构，位于所述绝缘层的 上方且环绕覆盖所述沟道结构层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的源漏区域的基底顶部，且 所述源漏掺杂层覆盖所述沟道结构层的侧壁。 来源：金融界 ...