存储芯片：“饥饿游戏”开启，一场为期四年的上行周期

在AI永不满足的需求驱动下，全球存储芯片市场正进入一场前所未有的"饥饿游戏"。 据追风交易台消息，摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示，由云服务提供 商引领的"内存饥渴"趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。 报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽 内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存。市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以 满足全部需求，从而支撑价格持续走强。 本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一。除了作为焦点的HBM，需求正向更多元化的应用扩展， 共同加剧了供应紧张的局面。 报告强调，用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组，以及用于Rubin CPX GPU的GDDR7显 存，都将成为拉动DRAM需求的新增长点。 这场行业变局不仅限于DRAM市场的价格复苏，NAND闪存市场同样在经历强劲反弹，部分原因是硬盘 驱动器（HDD）出现严重短缺，迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD）。 因此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市 ...